2月12日，快科技报道引发业界关注。据韩国媒体报道，长鑫存储在DRAM领域积极研发，未遵循既定路线选择工艺，转而采取“弯道超车”策略，技术发展步伐加快。
制程突破进展
长鑫存储持续在DRAM技术领域深入发展。在此之前，公司主要致力于生产基于17至18纳米工艺的DDR4和LPDDR4X等成熟产品。然而，长鑫存储并未止步于此。2024年11月，公司首次推出了LPDDR5产品。随后，在2025年初，公司成功将DDR5推向市场，实现了商业化。值得注意的是，在制程选择上，长鑫存储并未遵循最初商用DDR5计划的17纳米工艺，而是直接采用了更为先进的16纳米制程技术。
下一代15nm制程技术正在现有技术基础上稳步推进。企业设定了清晰目标，计划于2025年实现技术突破，并力争在2026年下半年实现商业化。若目标达成，将显著增强长鑫存储在DRAM领域的科技水平和市场竞争力。
先前发展成果
在迈向DDR5等先进技术之前，长鑫存储已累积了充足的经验。近期，其生产的基于17至18纳米工艺的DDR4、LPDDR4X等产品在市场上实现了显著成绩。这些成熟产品满足了市场上部分对存储性能有特定需求而非极致追求的客户群体，同时为长鑫存储在DRAM领域奠定了坚实的地位。
2024至2025年间，长鑫存储技术进步显著加速。2024年11月，其推出了LPDDR5产品。随后，公司迅速推进DDR5的商业化进程。这一系列快速的技术更新和产品升级，得益于其强大的研发团队和高效的生产体系。
制程选择原因
TechInsights的研究报告揭示了长鑫存储在制程选择上的思考路径。在攻克17nm制程技术后，研究人员意识到技术潜力仍有待挖掘，随后顺利实现了16nm制程技术的突破。综合技术优势等因素，公司决定其首款商用DDR5产品采用更为先进的16nm制程技术。
从性能角度分析，16纳米制程相比17纳米制程，在能耗管理、组件密度和数据存取速率等方面均有所进步。面对当前市场对高效能、低能耗数据存储需求的日益增长，采用这种先进制程技术进行更新换代，是顺应市场需求并增强产品竞争力的必然趋势。
外部因素影响
长鑫存储在推进15nm制程技术方面面临挑战。美国对先进半导体制造设备的出口限制加剧了企业的困难。企业原本计划引进EUV先进制造设备以支持15nm技术的研发和量产，然而，受限于出口政策，该设备难以引进，导致原定计划被迫延迟。
半导体行业虽面临诸多挑战与不确定性，但长鑫存储并未选择退却。该领域内涌现的积极事例，如美光在未使用极紫外光刻机的情况下实现13nm DRAM制程技术的突破，为长鑫存储注入了信心。这一成功案例鼓舞了长鑫存储探索一条符合自身技术进步的独立路径。
技术未来展望
尽管受到美国限制性政策的冲击，长鑫存储在当前技术开发的成熟度基础上，仍有望依托现有设备实现下一代15nm制程的研发与量产。在16nm技术领域，公司已取得的成就与经验有助于部分抵消EUV设备短缺的劣势，并以此为依据，对现有设备进行持续优化和升级。
数码产品对存储性能的要求持续上升，尤其在智能手机、电脑和服务器等关键领域，对大容量、高性能DRAM的需求日益强烈。若长鑫存储在2025至2026年间成功实现15nm制程技术的研发与商业化，有望扩大其在市场中的份额，并促进DRAM产业的进步与转型。
行业影响分析
长鑫存储在DRAM技术领域的快速发展，在业界引发了一场重大震动。该公司的制程技术不断更新，对其他存储企业构成了显著竞争压力。这一现象推动了整个行业加快研发步伐，增强创新能力，并加速向更先进的制程技术转型。
长鑫存储持续更新其产品与技术，为消费者带来更多高性价比的存储产品选项。这一举措不仅促进了产业链上下游企业的成长，包括芯片设计、封装测试等行业，而且对我国半导体产业的全面发展具有显著推动作用。
长鑫存储在升级DRAM技术方面不断克服挑战，对此您有何见解？敬请于评论区发表您的看法。同时，请不要忘记点赞并分享这篇文章！
