闪存新官宣
2月21日，快科技公布消息，铠侠与闪迪携手研发的第10代BiCS 3D NAND闪存问世。该产品在堆叠层数、存储密度、接口速率等方面均有重大突破，迅速吸引了行业关注。科技进步日新月异，闪存技术不断革新，铠侠的此举预计将在存储行业产生深远影响。
技术新借鉴
铠侠的新款闪存产品采用了CBA双晶圆键合技术，自主制造CMOS控制电路与NAND存储阵列，并将二者融合。值得一提的是，该设计参考了长江存储的Xtacking晶栈技术。在科技行业，技术引用较为普遍，这亦反映出长江存储所采用的架构具有先进性及显著成效。
堆叠新高度
铠侠的第十代闪存堆叠层数达到了332层，这一成绩超过了前代。与第八代的218层相比，层数增加了38%。同时，这一层数也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层以及西数的218层。这一突破展现了铠侠在堆叠技术方面的显著进步，进一步强化了其在行业内的领先地位。
密度新提升
铠侠最新发布的存储产品采用多层堆叠技术，其存储密度声称提升了59%，达到了每平方毫米36.4Gb的高标准。这一性能指标明显超越了同行业竞争对手，如西部数据的存储密度为每平方毫米22.9Gb，而SK海力士的存储密度最高不超过每平方毫米20Gb。存储密度的提升意味着在相同体积下，用户可以存储更多的数据，有效满足了用户对于大容量存储的需求。
速率新突破
新推出的闪存接口标准Toggle DDR 6.0，其传输速度为4800MT/s，较前代产品提升了33%。这一速度刷新了历史记录，超过了美光和西数的3600MT/s。更快的传输速度大幅缩短了数据传输时间，提高了设备运行效率。对于追求高性能的用户来说，这无疑是一个积极的信号。
功耗新降低
铠侠近期采纳了PI-LTT低功耗技术，这一技术显著降低了输入功耗约10%，输出功耗更是减少了34%。面对日益增长的节能需求，此技术更新有助于更高效地满足对功耗要求较高的AI技术等应用需求，同时对环境保护产生了正面效应。不过，铠侠尚未公开其采用的闪存类型（例如TLC或QLC）以及单Die的具体容量等关键信息。铠侠即将推出的存储器型号及其单颗芯片的容量如何？这将对市场带来何种正面效应？
