技术授权里程碑
2月27日，科技领域迎来了一个重要节点。国际存储行业领军企业三星，从中国长江存储购得专利技术，旨在用于其未来产品的开发。获得技术授权后，三星立即对外发布了基于该技术的突破性成果——一款拥有超过400层堆叠的第十代V-NAND闪存。这一进展凸显了长江存储技术在国际知名企业中的认可度。
三星在存储市场长期占据领先地位，其自主研发技术实力雄厚。然而，此次三星决定收购长江存储的专利，表明长江存储的晶栈架构优势已引起三星的高度关注，技术授权标志着双方合作的新篇章。
传统架构困境
传统上，与众多同行一样，三星将CMOS控制电路置于存储阵列下方，在同一晶圆上完成制造。然而，随着堆叠层数和存储密度的显著提升，这种架构的推进遭遇了巨大挑战。技术瓶颈对闪存容量和性能的进一步增长构成了限制，同时生产成本也持续保持在较高水平。
厂商致力于提升存储密度与性能，持续优化现有架构。然而，物理属性及制造技术的制约，使得每增加一层堆叠，散热和信号干扰等问题接踵而至，导致传统架构的升级变得更加困难。
晶栈架构优势
长江存储采用的 Xtacking 晶栈架构独具特色。该架构将控制电路和存储阵列分别制作于两块晶圆之上，随后将它们结合。此方法显著简化了制造过程，降低了成本，同时促进了技术的不断进步。
控制电路与存储阵列分别生产，使得性能优化更为灵活，同时摆脱了单一晶圆制造工艺的束缚。长江存储利用此架构在闪存领域展现出独特的竞争优势，为技术的推广打下了坚实基础。
三星新闪存亮点
三星推出的第十代V-NAND采用了长江存储的设计理念。其堆叠层数超过400层，具体数值未对外公布。这一技术突破使得三星重夺全球领先地位，超越了之前332层的最高记录。该产品首次采用TLC技术，单个芯片的容量达到了1Tb（即128GB）。
存储密度虽不占优，然而其接口传输速率高达5600MT/s，相当于700MB/s。仅需10颗芯片即可充分利用PCIe 4.0 x4，显著提升了数据传输效率，有力推动了高速存储设备的进步。
存储密度对比
三星第十代V-NAND的存储密度为每平方毫米28Gb，这一数值略逊于其1Tb QLC颗粒的每平方毫米28.5Gb，且与铠侠第十代产品相比，差距更大，后者每平方毫米的存储密度约为36.4Gb。尽管如此，三星仍将提高层数作为其研发的重点。
闪存技术的发展需在存储密度和层数之间取得平衡。三星的决策显现出其战略倾向于通过提升堆叠层数来增强存储容量，这一举措旨在满足日益增长的大容量存储需求。
未来规划展望
三星计划在2030年前后实现1000层堆叠技术。若此目标达成，将显著增加闪存存储容量及性能，助力存储行业迈向新的发展阶段。
技术进步持续推进，导致存储领域竞争愈发激烈。长江存储技术的输出，不仅为自身发展提供了更多机会，而且未来技术合作与突破的可能性值得密切关注。
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