NAND闪存技术市场竞争激烈，厂商们争相提高堆叠层数。关于堆叠层数对性能提升的贡献，业界看法不一。铠侠作为该领域的关键参与者，持有独到的观点和战略规划。
闪存堆叠大战
近期，NAND闪存制造商在堆叠层数方面展开了激烈竞争，并陆续公布推出300层以上产品的规划。铠侠推出的第八代BiCS8闪存，其堆叠层数可达218层，不仅通过提升层数来增加存储容量，还引入了平面方向定位及双晶圆键合技术，以增强存储密度。这一高密度设计使得铠侠的产品在成本方面更具优势。
闪存速度关键
容量与密度之外，速度的增强对闪存技术的进步至关重要。随着闪存应用领域的持续扩大，对高速数据处理的依赖日益加深。尽管BiCS10的量产计划尚未明朗，铠侠公司正致力于通过技术革新来提高闪存的速度，以迎合市场对快速存储解决方案的需求。
蚀刻工艺难题
层数增多导致蚀刻难度急剧提升。在多层闪存的生产过程中，精确蚀刻对于保证芯片性能和成品率至关重要。铠侠认识到蚀刻技术的挑战，将其定位为关键研发方向，并投入资源研发更先进的蚀刻技术，以保障产品质量的稳定性。
性能成本平衡
尽管技术上可以达到1000层以上的闪存堆叠，但要在性能和成本之间取得平衡并非易事。市场对闪存的密度、容量和性能有着全面的要求。铠侠必须依据市场反馈来调整其研发方向，确保其新产品在满足性能标准的同时，成本也是合理的。
存储密度为王
铠侠指出，对于闪存技术，提升存储密度比单纯增加堆叠层数更为关键。铠侠通过优化堆叠、横向收缩及CBA技术等手段，致力于研发新产品，以实现存储密度的提升。此举不仅有助于增加闪存容量，而且能够减少能耗，从而全面提升产品性能。
闪存类型展望
铠侠公司将在闪存领域持续深化QLC技术的研发工作。QLC技术适用于大容量存储需求，并随着数据存储需求的不断上升，展现出广阔的市场前景。PLC和HLC产品的商业化计划目前尚在制定中。同时，铠侠对PCIe传输协议的发展趋势有清晰的认识，这为其产品研发和市场战略布局指明了方向。铠侠公司预计，PCIe 6.0固态硬盘将于2025年问世，并于2026年投入应用，2028年实现广泛普及。这类固态硬盘凭借其高带宽特性，能够满足汽车等设备对数据存储的特定需求。同时，受AI技术推动，数据中心及企业市场对高性能、大容量企业级固态硬盘的需求预计将在2025年下半年有所回升。从长远角度来看，AI驱动设备对闪存的需求将持续上升。您是否认为铠侠在NAND闪存技术领域的战略布局，能够在竞争激烈的市常中占据有利地位？
