2月25日，快科技报道，韩国媒体ZDNet Korea透露，三星电子与长江存储签署了有关“混合键合”技术专利的授权合同。该合同针对第10代（V10）NAND Flash产品（430层）及以上的应用领域。三星此举代表其首次运用长江存储的专利技术，这一动作亦反映出长江存储的技术能力得到了国际知名企业的肯定，标志着双方合作迈向新的里程。
长江存储，我国一家专注于存储芯片的企业，在全球“混合键合”技术领域处于领先地位。三星对其下一代V10 NAND产品进行了评估，发现该产品因长江存储的专利而难以规避，故三星决定获取授权。此决定体现了长江存储在技术领域设置了较高的进入壁垒。
“混合键合”技术地位
3D NAND制造商将“混合键合”技术视为促进400层以上NAND堆叠发展的关键。随着存储需求的不断增长，采用更高层级的NAND堆叠技术能够提升存储密度和性能，“混合键合”技术是实现这一目标的关键所在。
目前，众多企业正积极争夺该核心技术的领先权。长江存储凭借其创新的“混合键合”技术，已崭露头角。这一技术优势不仅为三星等企业开辟了新的发展道路，还推动了存储技术领域的整体进步。
长江存储的突破与实力
中国存储产业史上，三星首次获得专利许可。长江存储将技术输出给包括三星在内的顶级存储企业，这一行为彰显了其技术革新实力。近期，长江存储不断加大研发资金投入，致力于攻克技术难题，并已取得多项成就。
三星致力于独立研发3D NAND技术，并不断升级其技术产品线。该举措体现了对长江存储前期努力的肯定，并将激励长江存储在技术革新方面不断前行。
行业影响与连锁反应
三星因采纳长江存储的专利技术而受到广泛关注，预计SK海力士等3D NAND企业也将效仿，寻求授权。长江存储的技术获得了三星的认可，有望在业界产生积极影响，推动其他企业重新评估长江存储的技术潜力。
SK海力士等企业一旦获得授权，长江存储将加强在国际存储市场的声音。这一举措有助于提高专利授权带来的商业回报，从而为技术研发提供更充足的资金支持。
中韩半导体实力对比
韩国科学技术评估与规划研究院（KISTEP）于2月23日发布的报告显示，针对39位国内半导体专家的调查发现，中国在除先进封装外的所有半导体技术领域均超越了韩国。具体分析，在涉及高性能与低功耗AI半导体、功率半导体以及下一代高性能传感技术等多个方面，中国的得分均高于韩国。
中韩两国在半导体封装技术领域并驾齐驱。调查显示，韩国在加工和大规模生产方面表现优异，而中国在基础技术、核心技术及设计方面展现出显著优势。中国半导体产业实现显著发展，两国各有千秋。
未来展望与思考
长江存储等企业助力，中国半导体行业达成技术飞跃，赢得国际社会的肯定。面向未来，我国企业预期将在更多关键领域取得技术进展，进而增强在全球半导体领域的竞争力。尽管如此，在国际竞争加剧和技术封锁的背景下，我国必须加强自主研发能力，并重视人才培育。
值得关注的是，我国企业在半导体行业的发展过程中，如何充分利用自身优势，与国际同行进行高效合作与竞争。我们热切邀请读者留言互动，并期待您的点赞与文章分享。
