三星近期与长江存储签订的专利授权协议引发了半导体领域的广泛关注，这一事件不仅展现了技术领域竞争与合作的最新动态，同时也暗示了行业结构可能即将出现的新调整。
协议达成
2月24日，据韩媒报道，三星电子与长江存储达成了一项关于3D NAND混合键合技术的专利许可协议。自第10代V-NAND（V10）产品线开始，三星将采纳长江存储的专利技术，特别是其在混合键合领域的创新。此协议标志着双方在技术合作领域取得了显著进展。
据相关消息，三星将利用长江存储的技术特长，增强其产品功能。与此同时，长江存储通过专利授权可增加额外收入，进而促进技术的不断进步。
量产计划
三星预计将于2025年下半年开始大规模生产新一代V10型NAND闪存。届时，该产品的堆叠层数将介于420至430层之间，这一技术指标在业界处于领先地位。然而，随着层数的提升，底层外围电路所承受的压力急剧增加，这对芯片的可靠性产生了显著影响。
为了达成这一大规模生产目标，三星实施了多项技术创新策略。比如，他们采用了W2W混合键合技术以解决芯片的可靠性问题，并努力在性能和稳定性之间寻求最佳平衡点。
技术难题
3D NAND堆叠层数一旦超过400层，底层外围电路承受的压力显著上升。这一现象引发了电路信号传输的延迟以及能耗的上升，对芯片的性能与稳定性造成了严重影响。面对这一挑战，传统技术已显现出其局限性。
半导体行业目前普遍遭遇了超高堆叠层数技术的难题，如何在提升层数的同时确保芯片性能，已成为一个核心挑战。众多企业正积极寻求有效的解决方案。
技术优势
四年前，长江存储公司首次将混合键合技术应用于3D NAND闪存的生产，并为其取名为“晶栈（Xtacking）”。同时，公司构建了完整的专利体系。该技术摒弃了传统的凸点连接方式，实现晶圆间的直接接触，显著减少了电气路径的长度。
相较于传统技术，“晶栈（Xtacking）”技术在性能提升、散热性能加强及生产效率优化方面展现出显著优势。该技术显著提高了芯片的运行速度与稳定性。
授权原因
目前，拥有3D NAND混合键合核心技术专利的企业包括美国的Xperi、中国的长江存储以及台湾的台积电。三星在技术上几乎无法避开长江存储的专利布局。若选择绕过专利，企业将不得不承担法律及市场的潜在风险。
选取专利授权路径，三星能够有效降低潜在风险，同时加速技术研究的进展，确保产品能够顺利进入市场，并缩短研发周期及降低成本投入。
行业影响
三星之外，SK海力士同样致力于400层以上NAND产品的混合键合技术研发。预计未来，该公司或许也将与长江存储签订专利授权合约。这一趋势反映出长江存储在相关技术领域的国际影响力持续增强。
在未来的产品线中，三星可能继续采用长江存储的专利技术于V10、V11、V12等NAND系列产品的研发。随着3D NAND技术的应用日益广泛，行业内的合作与竞争预计将变得更加剧烈。
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