混合键合技术成关键
3D NAND技术已跨越至400层以上的堆叠水平，混合键合技术在其中的作用愈发凸显。采用CBA架构的NAND生产厂商必须借助该技术，以确保NAND阵列与外围CMOS逻辑电路在单片晶圆上实现垂直连接。对于3D NAND生产厂商而言，将堆叠层数提升至更高水平，这项技术已成为实现目标的关键核心。该技术对生产效率的提升和性能的改进具有直接影响，已成为厂商间竞争的焦点领域。
3D NAND技术领域内，该技术被认为是引领行业变革的核心。掌握该技术后，企业能够提高生产技术标准，并在高密度存储产品市场竞争中占据有利地位。当前，该技术正对3D NAND的未来发展趋势产生重大影响。
长江存储提前布局
长江存储公司作为首家运用CBA架构的3D NAND芯片生产厂商。自2018年，公司推出了自研的Xtacking技术。在此架构上，公司不断加大投资。这一行为展现了公司在战略布局上的前瞻性。公司为未来技术竞争提前做好了全面准备。
2021年，长江存储与Xperi达成了许可协议，该协议涵盖了DBI混合键合技术等多项专利。公司通过合作与自主研究，不断加强其技术实力。这些举措为其未来的技术创新打下了坚实基础，并在NAND存储市场逐渐展现出竞争优势。
技术追平国际厂商
在过去的数年里，长江存储在NAND Flash领域与国际领先企业保持了同步进步。得益于充裕的研发资金支持，以及与外部机构的紧密合作和技术引进，公司内部持续进行技术创新。这些因素的综合作用，使其能够与国际厂商并驾齐驱。
长江存储在研发方面持续加大投入，其规模十分庞大，致力于NAND技术关键环节的突破。经过持续努力，该公司成功解决了众多技术挑战，逐步从追赶者角色转变为与行业领先者并肩前进，向全球展现了中国存储企业的雄厚实力。
商业化成果显著
今年伊始，长江存储推出了2yy（预计为270层）3D TLC NAND产品。TechInsights对该产品给予了高度评价，认为其市场密度位居首位，并且成为业界首个实现20Gb/mm²位密度的3D NAND。这一成就充分体现了长江存储在3D NAND技术领域的国际领先地位。
此次商业化的成功，见证了技术领域的重大进展。这一成果不仅涉及技术层面，更将对相关产业带来深远效应。高密度存储产品的推出，将有力地满足数据中心、智能手机、电脑等众多设备对大规模存储的强烈需求。
专利积累具优势
长江存储在发展过程中，借助Xperi的混合键合技术，成功积累了丰富的自主知识产权。这些专利技术不仅涉及混合键合技术，还包括3D NAND制造技术等多个领域。这些专利形成了一道坚实的防线，既保护了长江存储的技术成果，也提升了整个行业的技术门槛。
目前，Xperi、长江存储和台积电共同拥有混合键合技术的专利权。Xperi主要负责技术的授权业务，台积电则专注于生产逻辑芯片。长江存储在3D NAND技术专利方面积累了丰富经验，这为其他企业绕过专利限制增加了难度。
行业格局被改写
铠侠公司采用CBA架构技术进行3D NAND产品的规模化生产。特别地，其基于该架构的第八代技术，即BiCS8 218层3D NAND产品，计划从下半年起投入量产。与此同时，包括三星、SK海力士在内的大型企业对转向CBA架构的适应速度较慢。面对长江存储的竞争，这些企业可能面临专利方面的挑战。
长江存储已向三星授予专利许可，这一动作标志着我国在存储技术领域的重大进展。该行为展现了长江存储的雄厚实力，预计SK海力士等企业也将效仿，寻求专利许可。长江存储正逐步从追赶者变为行业领跑者，对全球3D NAND市场的版图产生着显著影响。
长江存储是否能够凭借其混合键合技术专利的优势，在全球3D NAND市场拓展市场份额，这一点目前尚不确定。
