美光发布里程碑产品
3月11日，快科技报道，知名存储制造商美光近期推出了10nm工艺的DRAM内存产品。该产品已向英特尔、AMD等企业提供了样品，美光因此成为业界首个实现这一技术突破的企业。这一成就对美光至关重要，标志着存储技术领域的重大进展，并在激烈的市场竞争中占据了领先地位。
美光此举备受瞩目，反映了存储技术领域的最新动态。其交付的DDR5内存样品，体现了美光在技术创新方面的持续努力，取得了显著成果。此举有望使美光在未来的市场竞争中占据优势，进而推动整个行业的发展。
减少EUV使用策略
美光公司提供的DDR5内存样品采用了单层EUV极紫外光刻技术。该做法旨在通过减少EUV的使用量，加快高端制程内存的大规模生产，并降低成本。这种做法在业界较为罕见，引起了广泛的讨论。
存储领域内，成本控制与生产效率是企业关注的焦点。美光若能顺利执行此策略，有望增强其经济收益，并可能颠覆行业对EUV光刻技术的传统看法。此举或激发其他企业效仿，以改进其生产流程。
DRAM内存节点工艺
值得注意的是，DRAM内存行业的节点工艺具有其特有的标识方法，并非直接以nm数值进行标注。它采用的是如1a、1b、1c或1α、1β、1γ等序列的迭代方式。具体来说，1a代表约20nm，而1γ则指代约10nm。
该标注体系体现了DRAM内存技术进步的特质。不同的工艺阶段对应着各异的技术层次与性能指标。这一体系为行业内的技术交流及产品规划提供了明确的结构，便于企业准确把握自身技术地位与未来发展趋势。
竞争对手EUV策略
三星与SK海力士在EUV光刻技术领域均有既定规划。自2020年始，三星已在DRAM内存制造中应用EUV技术，并计划在第六代1c系列10nm DRAM内存产品中应用超过五个EUV光刻层。SK海力士于2021年引入EUV光刻技术，并计划在下一代1c系列10nm DRAM内存产品中采取相似的策略。
在与对手的策略对比中，美光减少极紫外光刻技术的应用做法呈现出独特性。不同公司的策略抉择反映了它们对市场和技术的不同见解。预计未来，美光、三星以及SK海力士三者间的技术角逐与市场份额争夺将更为剧烈。
创新推动未来计算
美光公司指出，在1α和1β DRAM节点领域所保持的领先地位，为1γ DRAM节点的实现奠定了基础，这一节点将促进未来计算平台在云端、工业、消费应用以及端侧AI设备等领域的创新发展。这些设备包括AI个人电脑、智能手机以及汽车等。
科技迅猛进步，导致相关领域对内存性能的需求持续提升。美光公司推出的1γ DRAM技术节点预计能够满足这一需求，进而推动产业链技术升级及产品更新，有利于促进科技生态系统的健康发展。
产品性能与客户验证
美光1γ DRAM节点率先应用于16Gb DDR5内存产品。公司正逐步将该技术融入其产品线。此款内存的数据传输速度可达9200MT/s，即4600MHz的双倍频率。相较于上一代产品，传输速度提高了15%，功耗下降了超过20%，单晶圆的容量密度增加了超过30%。目前，AMD和Intel已经开始对1γ内存进行技术测试。
验证结果对客户极为关键，其直接关联到美光产品在市场的推广及使用。AMD与Intel的高层管理人员所发表的观点，反映出他们对美光1γ内存的期待与肯定态度。一旦验证过程顺利进行，美光的产品有望在服务器及消费市场得到更广泛的采纳与应用。
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