6月20日，快科技报道了一则消息，该消息在芯片行业内引起了广泛讨论。英特尔某位董事的言论对先进芯片制造的基本模式提出了质疑，似乎预示着芯片制造技术将面临一场重大变革。
现有范式依赖光刻
目前，在7纳米及以下制程的高端芯片生产中，对ASML生产的极紫外（EUV）光刻机的依赖程度极高。该设备在将微小的电路图案精确地复制到硅晶圆上扮演着至关重要的角色。众多芯片生产企业纷纷投入大量资源以获取EUV光刻机，这是因为光刻工艺是芯片制造流程中的初始且关键步骤，它对后续的制造过程有着直接的影响。
新型设计现苗头
英特尔某董事提到，针对未来的晶体管设计，如GAAFET和CFET，将可能引发一系列变革。这些新型设计预示着芯片制造流程将经历调整，特别是在光刻工艺之后的制造环节，刻蚀技术的地位将变得尤为关键。这些独特构造的设计正对目前以光刻为主导的工艺构成挑战。
光刻主导遭挑战
光刻技术在芯片制造初期便将设计图案转印至晶圆表面，长期占据着核心位置。然而，董事会成员认为，新型设计将削弱光刻技术的领导地位。在新型设计框架下，后续的沉积材料和刻蚀去除材料步骤显得尤为重要，而光刻技术正面临来自多方面的挑战。
新型设计要求高
GAAFET与CFET的三维构造较为复杂，这为刻蚀技术设定了更高的精度标准。在构建三维结构的过程中，芯片制造商需去除不必要的材料，并且必须实现全方位的精细操控，特别是在横向方向上确保材料的精确处理。
刻蚀工艺将崛起
未来，芯片制造的焦点可能将不再仅限于依赖光刻机来减小特征尺寸，而是转向更为复杂的刻蚀技术。这种刻蚀技术的进步将直接影响到新型三维晶体管能否精确地形成。因此，制造商必须对刻蚀设备和技术进行升级，以应对这一即将发生的重大变革。
技术路线或转变
董事的言论预示着芯片制造领域的技术走向将发生显著转变。基于光刻技术的传统制造体系或许将面临颠覆，而以刻蚀技术为核心的新工艺模式或许将逐步崭露头角。这一变化对于涉及的企业和研究机构而言，既带来了挑战，也蕴藏着巨大的发展机遇。
在芯片制造的未来趋势中，刻蚀技术是否能够彻底替代光刻技术，成为行业发展的主导力量，这一问题引发广泛讨论。我们诚挚邀请各位读者参与评论，积极互动，并对本文给予点赞与分享，共同探讨这一话题。
