先进光刻机花落Intel
2月26日，快科技发布消息，ASML的Twinscan EXE:5000 EUV被誉为全球最先进的EUV极紫外光刻系统，其高孔径技术尤为突出。去年，Intel成为首个购买该设备的客户。目前，该设备已在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装，并已开始运行。同时，两台设备正忙碌于研究和测试阶段。此举让英特尔在半导体制造技术的竞争中取得了领先地位。英特尔凭借该举措，在行业竞争中处于有利位置。通过这一行动，英特尔在半导体制造技术领域占据了优势。该举措使得英特尔在半导体制造技术竞争中处于优势。
初期成果彰显重视
Steve Carson，Intel的高级首席工程师，透露目前已有两台光刻设备成功生产出三万片晶圆。尽管数量不多，这些晶圆主要用于测试和研究目的，而非商业规模生产。这一行动体现了Intel对新型光刻技术的重视态度。公司已投入大量资源开展初期研究，力求为未来的大规模应用积累丰富的经验和数据。
高效性能节省成本
Steve Carson强调，新型光刻机展现出显著优势。在执行相同任务时，曝光次数由三次缩减至一次，处理步骤也从四十余步减少至不足十步。这一变革显著减少了时间和成本，提升了半导体生产流程的效率。对于追求利润和生产效率的企业而言，这一进步无疑带来了巨大利益。
性能提升数据亮眼
新一代光刻机的可靠性相比上一代产品有了显著提升，增幅约为一倍。然而，具体数值尚未对外公布。该光刻机单次曝光的分辨率达到了8纳米，比前代Low-NA光刻机的13.5纳米提高了40%。同时，晶体管密度也有明显增长，是前代的2.9倍。尽管Low-NA光刻机能够通过两次曝光实现8纳米的分辨率，然而在时间消耗、成本投入以及产品良率等方面，其表现明显不如新一代光刻机。
量产效率大幅跃升
在全面进入量产阶段，ASML的EXE:5000型号光刻机每小时能够生产400至500片晶圆。目前，其产量已达到200片，较之前增长100至150%。这一显著提升有效提升了大规模生产的产能，能够满足市场对芯片的巨大需求。这种高效的生产方式有助于提升Intel在行业中的竞争力。
未来工艺产品规划
英特尔计划运用High-NA EUV光刻技术生产14A系列芯片，该芯片的工艺尺寸为1.4纳米。预计该系列芯片将于2026年左右投入批量生产，并有望在Nova Lake、Razer Lake等平台上得到应用。在今年的下半年，Intel将推出基于1.8纳米制程的18A系列产品，该产品将继续使用现有的Low-NA EUV光刻技术。相关产品，即代号为Panther Lake的下一代酷睿处理器和代号为Clearwater Forest的下一代至强处理器，目前运行稳定。此外，这两款处理器已进入客户测试阶段。
Intel最近发布的尖端光刻技术部署及其后续产品规划，您如何看待这些动作是否能使Intel在半导体行业重新夺回领先地位？敬请提出您的看法、提供支持并积极参与讨论。
