最新投产引发关注
2月26日，快科技报道，美光公司宣布，采用最新1γ纳米技术的DDR5 DRAM内存芯片已正式投入生产。在DRAM内存领域，节点工艺的迭代并非直接以数值标示，而是遵循特定顺序。1γ纳米工艺接近10纳米，美光的新产品在性能上实现了显著提升，引发了业界的广泛关注。
EUV光刻工艺首用
美光内存是首次采用EUV极紫外光刻技术，但三星和SK海力士早已应用此技术。此次，美光不仅引入了这项技术，还同步应用了HKMG金属栅极的下一代技术，并计划实施全新的BEOL后端工艺。尽管未公开EUV光刻层的具体使用数量，但据推测，目前仅在关键层有所应用。
容量密度显著提升
美光推出的1γ DDR5内存单颗容量最高为16Gb，即2GB，这使得其能够轻松构建出单条容量高达128GB的企业级产品。该产品声称其容量密度比1β型号提升了30%，而实际上，历代的提升工艺都曾带来大约30%的密度增长。这样的高容量设计，能够充分满足企业和大型设备对更大内存容量的需求。
高频率低电压优势
该产品仅需1.1V的标准电压即可实现9200MHz（即9200MT/s）的高频运行。与之相比，市面上的高频内存通常需要1.35V或更高的电压。采用更低电压不仅提高了安全性，同时也有助于降低功耗，据称其功耗可较1β工艺最多减少20％。
产能规划与产品上市
美光DDR5内存目前仅在日本的制造工厂生产。预计产能将逐步增加，相关产品预计将在今年年中左右投放市场。此举旨在严格管理产品质量和市场投放进度，同时为新产品的推广争取时间优势。
未来技术应用布局
未来，美光计划在台岛设立工厂，并引入EVU技术。该工厂将采用1γ工艺生产GDDR7显存和LPDDR 5X高频内存，最高频率可达9600MHz。这一举措显示出美光在内存技术领域的持续投资，致力于丰富产品线，以适应多样化的市场需求。
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